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• MJL4281AG功率三极管TO-264基极反向电流集电极允许电流
  描述：YXYBDT牌的MJL4281AG功率三极管TO-264基极反向电流集电极允许电流产品：估价：12.40，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• STM32F427VGT632位ARM微控制器ST封装LQFP100批次新年份
  描述：ST牌的STM32F427VGT632位ARM微控制器ST封装LQFP100批次新年份产品：估价：22.0000，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• MT62F4G32D8DV-023WT:CDRAM动态随机存储器315FBGA读写速度
  描述：MICRON\/美光牌的MT62F4G32D8DV-023WT:CDRAM动态随机存储器315FBGA读写速度产品：估价：353.69，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• STM32L151RCT632位ARM微控制器ST封装LQFP64批次新年份
  描述：ST牌的STM32L151RCT632位ARM微控制器ST封装LQFP64批次新年份产品：估价：14.0000，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• H58GU6MK6HX042DRAM动态随机存储器SKHYNIX\/海力士封装BGA496
  描述：SKHYNIX\/海力士牌的H58GU6MK6HX042DRAM动态随机存储器SKHYNIX\/海力士封装BGA496产品：估价：392.20，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• PE9354-11射频前端PSEMI\/游隼封装SOP8实单可谈价格面议
  描述：PSEMI\/游隼牌的PE9354-11射频前端PSEMI\/游隼封装SOP8实单可谈价格面议产品：估价：8701.00，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• STM32F103C8T632位ARM微控制器ST封装LQFP48批次新年份
  描述：ST牌的STM32F103C8T632位ARM微控制器ST封装LQFP48批次新年份产品：估价：5.5000，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• K3LKCKC0BM-MGCPDRAM动态随机存储器BGA315存储单元
  描述：三星牌的K3LKCKC0BM-MGCPDRAM动态随机存储器BGA315存储单元产品：估价：169.50，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• MT61K512M32KPA-16:CDRAM动态随机存储器TFBGA180读写速度
  描述：MICRON\/美光牌的MT61K512M32KPA-16:CDRAM动态随机存储器TFBGA180读写速度产品：估价：55.00，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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• NJW1302G功率三极管TO-3P发射极反向击穿电压电流放大系数
  描述：YXYBDT牌的NJW1302G功率三极管TO-3P发射极反向击穿电压电流放大系数产品：估价：3.40，规格：完善，产品系列编号：齐全 发布日期：2025-4-23
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